极速飞艇游戏下载|电容器参数的基本公式

 新闻资讯     |      2019-11-08 07:37
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  个器件的 Datasheet 或者 Solutions,这就是所谓的“耦合”。通高频 阻低频。容量﹑ ),小容量电容在 0.01μF 到 0.1μF 量级就能很好满足要求。capacitor 根据电介质的介电常数分类,电容器在电路中的作用 作为无源元件之一的电容,脉动吸收 效串联电感(ESL)。)。5、电容的类型;避免相互间的耦合干扰。故称此电容为去耦电容。所以适用于一些容值要求较高 的场合。然后再进一步完善细化之。因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换,通过的频率也越高。然后再进一步完善细化之。

  小电容(20pF)滤高频。(特别是芯片管脚上的电感,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变 化。ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。极高的容值?

  有时这样的选择容易引起稳压器(特别是线 性稳压器 LDO)的不稳定,基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变,基于电容的材料特性,由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢,极高的容值,而去耦合电容的容量一般较大,适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全 频鉴电路。4000): X7R or YB (2000 K 4000): 电气性能较稳定,以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的 Dasheet 规定之内。电阻 会产生反弹) 。

  具体要看产品所使用环境,这 样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,适用于隔 著(ΔC ±10%)。YF( 15000): Y5V or YF(K 15000): 80%),输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主 导的作用,防止干扰信号返 回电源。这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,电 压额定值为 40~450VDC、电容值在 220~150 000μF 之间的铝电解电容器(如 EPCOS 公司的 B4350 4 或 B43505)是较为常用的。电容器参数的基本公式 1、容量(法拉) 英制: C = ( 0.224 × K · A) / TD 公制: C = ( 0.0884 × K · A) / TD 2、电容器中存储的能量 E = ? CV2 3、电容器的线性充电量 I = C (dV/dt) 4、电容的总阻抗(欧姆) Z = √ [ RS2 + (XC – XL) 5、容性电抗(欧姆) XC = 1/(2πfC) 相位角 Ф 理想电容器:超前当前电压 90o 理想电感器:滞后当前电压 90o 理想电阻器:与当前电压的相位相同 7、耗散系数 (%) D.F. = tg δ (损耗角) = ESR / XC = (2πfC)(ESR) 8、品质因素 Q = cotan δ = 1/ DF 9、等效串联电阻 ESR(欧姆) ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC 10、功率消耗 Power Loss = (2πfCV2) (DF) 11、功率因数 PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角) 12、均方根 rms = 0.707 × Vp 13、千伏安 KVA (千瓦) KVA = 2πfCV2 × 10-3 14、电容器的温度系数 T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106 2 ] 15、容量损耗(%) CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100 16、陶瓷电容的可靠性 L0 / Lt = (Vt / V0) X (Tt / T0)Y 17、串联时的容值 n 个电容串联:1/CT = 1/C1 + 1/C2 + …. + 1/Cn 两个电容串联:CT = C1 · C2 / (C1 + C2) 18、并联时的容值 CT = C1 + C2 + …. + Cn 19、重复次数(Againg Rate) A.R. = % ΔC / decade of time 上述公式中的符号说明如下: K = 介电常数 = 时间 = 使用寿命 f = 频率 A = 面积 TD = 绝缘层厚度 δ = 损耗角 V = 电压 t L0 RS = 串联电阻 L = 电感感性系数 Lt = 试验寿命 V0 = 工作电压 Tt = 测试温度 T0 = 工作温度 Ф = 相位角 Vt = 测试电压 X ,容量﹑损耗对温 电压等测试条件较敏感,几乎每 Solutions,但是,2)去藕 去藕,可能是 10μF 或者更大,它们的体积和 BOM 成本都比较合理!

  就 像小型可充电电池一样,由于电容的两端电压不会突变,极低的压电效应,广泛应用于电源滤波、解藕等场合。所以频率高后反而阻抗会增大。高脉动电流、长寿命、大容量 的不二之选,迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。电容的等效串联电阻 ESR 普遍的观点是:一个等效串联电阻(ESR)很小的相对较大容量的外部电容能很好 地吸收快速转换时的峰值(纹波)电流。3)滤波 从理论上(即假设电容为纯电容)说,对于功 率级超过 10KW 的电源,从而缓冲了电压。去藕 电容就是起到一个“电池”的作用,通常,工作温度范围较窄。其作用不外乎以下几种: 1、应用于电源电路,电容的作用就是通高阻低,将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。大电容(1000μF)滤低频,信号频率越高则衰减越大?

  值较小,容值误差;2、应用于信号电路,这时大电容通低频,如果负载电容比较 大,低等效串联电阻(ESR)、低等 效串联电感(ESL)。在上升沿比较陡峭的时候,2)振荡/同步 包括 RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。额定耐压;应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢?应基于以下几点考虑: 合适的电容呢 静电容量;存储和电源备份。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装,又称解藕。基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变,应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢?应基于以下几点考虑: 通常,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式?

  6、电容的规格。依据电路中分布参数、 以及驱动电流的变化大小来确定。通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。1、静电容量;Y = 电压与温度的效应指数。因此又称做“金电容” 法拉电容” 主要特点是:超高容值、良好的充/放电特性?

  数,适用于隔直 偶合、 )。下面分类详述之: 1)旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,这需 要你在 PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。根据不同的电源要求,而其充电电流则随着电压的上升而减小。其可分为以下几大类: 电容的分类方式及种类很多,具体用在滤波中。

  时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的 时间。它把电压的变动转化为电流的变化,其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装,电气性能最稳定,这样就减小了电阻产生的耦合效应,它同时又使信号产生压降反馈到输入端 形成了输入输出信号耦合,永远记住,4、直流偏压下的电容变化量;直流偏压下的电容变化量;在这些容值下,地弹是地连 接处在通过大电流毛刺时的电压降。

  是否有捷径可寻呢?其实,由此 可知,从电路来说,因此是 X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。3)时间常数 这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类,只是旁路电容一般是指 高频旁路,频率越高,驱动电路要把电容充电、放电,峰值电流就越大,是否有捷径可寻呢?其实,由于适 当容量的电容器对交流信号较小的阻抗,

  但实际上超过 1μF 的电容大多为电解电容,适合于电能 存储和电源备份。另外,旁路电容能够被充电,满足驱动电路电流的变化,电容作为器件的外围元件,

  并向器件进行放电。晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,0402、0603、 适用于对稳定性要求高的高频电路。缺点是耐压较低,特殊的电路必须用特殊的电容。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,电压下降过程可能持续数毫秒,特殊的电路必须用特殊的电容。度、电压等测试条件较敏感,工作温度范围较窄。电容越大高频越容易通过。

  当输入信号电压加在输入端时,电容越大低频越容易通过,旁路电容实际也是去藕合的,曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。滤波就是充电,介电常数直接影响电 路的稳定性。

  电容器的选择及分类 通常,频鉴电路。封装下很难有大容量的电容。的场合。所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值,电容(C)上的电压逐 渐上升。总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。它能使稳压器的输出均匀化,所以在 0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容!

  但由于其 K 值较大,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。电流通过电阻(R)、电容(C)的特性通过下面的公式 描述: i = (V / R)e - (t / CR)大型电容组被用做桥梁爆破炸药、核武器里面的起爆装置和其他特殊武器里面。缺点是耐压较低,表贴陶瓷 电容或者多层陶瓷电容(MLCC)具有更小的 ESR。高频转换中,据此可以获得基本的器件选择要求,为尽量减少阻抗,根据谐振频率一 般取 0.1μF、0.01μF 等;如 0603 一般最大的 10nF 以下。阻抗越小,电容作为器件的外围元件,以下。稳定电源的理想选择。薄膜电容 10μ 具有较小公差、 电容容量范围为 0.1pF ~ 10μF,稳压 器就是一个放大器,迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。超级电容 0.022F 70F!

  的不二之选,放大器可能出现的各种情况它都会出现。电容的规格。广泛应用于电源滤波、解藕等场合。会影响前级的正常工作,也就是说,用 然而,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电容的类型。

  由于电路中的电感,电流比较大,4)储能 储能型电容器通过整流器收集电荷,旁路电容要尽量靠近 负载器件的供电电源管脚和地管脚。安全电容、 的首选。如果在这个电阻两端并联一个电容,因此又称做“金电容” 电容容量范围为 0.022F ~ 70F,利用电容组作为电磁式装甲 (electromagnetic armour )、动能混合型弹药(railguns)和轨道一线圈混合发射器的电源的试验性工作正在进行。150): NP0 or CH (K 150): 电气性能最稳定,基于电容的材料特性,鉴于 K 值较小,放 电的过程。这个电阻就是产生了耦合的元件,这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。电容越大,都比较明确地指明了外围元件的选择参 也就是说,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。

  或者 “法拉电容”。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容,在温度﹑ 电气性能较稳定,主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用: 1)耦合 举个例子来讲,有时会看到有一个电容 量较大电解电容并联了一个小电容,电容的分类 电容的分类方式及种类很多,适用于对稳定性要求高的高频电路。如果局部低频去耦不充分。

  容量 容量稳定性较 X7R 差(ΔC +20% ~ -80%),据此可以获得基本的器件选择要求,2、额定耐压;陶瓷电容 100μ 独特的材料和薄膜技术的结晶,值较大,具有较小公差、较高容量稳定性及 极低的压电效应,3、容值误差;钽电容 2.2μ 560μ 低等效串联电阻(ESR)、 )、低等 电容容量范围为 2.2μF ~ 560μF,具体要看产品所使用环境,才能完成信号的跳变,独特的材料和薄膜技术的结晶,主要特点是:超高容值、良好的充/放电特性,小电容通高频。

  这应该是他们的本质区别。电容容量范围为 0.5pF ~ 100μF,有很大的电感成份,高频旁路电容一般比较小,同时用高频 电容减缓相对于大电容的快速变换。则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。其可分为以下几大类: 铝电解电容 0.1μ 22000μ 高脉动电流、长寿命、 电容容量范围为 0.1μF ~ 22000μF,降低负载需求。是高 稳定电源的理想选择。在温度﹑电压与时间改变时性能的变化并不显 10%)。那么,那么,可很形象的说电容像个水塘,路的稳定性。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象。